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지능형반도체 구현을 위한 뉴로모픽 멤리스터 소자 기술

◈ 목차

I.   서론
II.  차세대 지능형 반도체 소자 및 소재

III. 결론 및 시사점

◈본문

I. 서론

사람의 뇌는 1,000억 개의 뉴런과 100조 개의 시냅스로 구성된 방대한 규모이며, 데이터 분석 및 처리에 있어서 현존하는 어떤 컴퓨팅 체계보다 우수한 에너지 효율성을 가지고 있

다. 뉴로모픽(Neuromorphic) 소자 구현에 현재 메모리 반도체 기술인 SRAM(트랜지스터6개에서 8개로 구성) 기반의 기술은 이용 시 매우 큰 에너지가 소모되고 있다.

이에 SRAM이아닌 저항변화형 멤리스터 소자를 사용하여 인간 뇌의 가장 근본적인 단위인 시냅스를 제작/ 구성하려고 하는 연구가 활발히 진행 중에 있다. 멤리스터는 SRAM 기반과는 달리 매우

간단한 소자 구조(금속/산화물/금속)로 이루어져 있고, 10nm2이하의 매우 작은 소자 크기에서까지 저항변화 특성(메모리)을 유지할 수 있어, 하드웨어 및 시스템적으로도 작은 면적

에서도 많은 수의 시냅스 구현이 가능하다.

또한, 소자에 인가된 전류 또는 전압에 비례하여 저항이 변화할 수 있는 고유한 아날로그메모리 특성을 구현할 수 있으며 생명체의 고유한 신호 전달 체계인 신경 접합부(biologicalsynapse)와 매우 유사한 특성을 구현할 수 있기 때문에 하드웨어적으로 뉴로모픽 시냅스를

구현할 수 있는 최적의 소자로 인정을 받고 있다.

...................(계속)

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